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     铜柱凸块(Copper Pillar Bump)技术

    铜柱凸块(Copper Pillar Bump)技术是在覆晶封装芯片的表面制作焊接凸块,使其具备较佳的导电、导热和抗电子迁移能力的功能。采用铜柱凸块覆晶封裝代替传统的打线封装,可以缩短连接电路的长度,以减小芯片封装面积和体积,实现微型化,并减少芯片系统寄生电容的干扰、电阻发热和信号延迟等缺点,提高芯片封装模组性能。

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     特点
    ※ 具有低热阻特性,散热性能良好
    ※ 具有低电阻特性,导电能力佳
    ※ 较佳的抗电迁移能力
    ※ 适合更细微之线距(Fine pitch)产品应用
    ※ 直立bump更容易underfill
    ※ RoHS (符合欧盟规定)
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     产品应用Applications
    ※ 电源管理(Power IC)
    ※ 射频芯片(RF IC)
    ※ 基带芯片(Base Band)
    ※ 功率放大器(Power Amplifier)
    ※ 应用处理器(Application processor)
    ※ 高脚数逻辑IC (High Pin Logic)
    ※ 记忆体及行动装置 (Memory & Mobile) 
    ※ LED次封装 (Submount) 
    ※ 车用电子元件 (Automotive) 
    ※ 生物医疗装置 (Medical Devices)
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     生产流程简介Process flow introduction

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     铜柱凸块(Copper Pillar Bump)设计 Bumping Design Rule
    可向公司接洽询问.
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     主要服务项目
    ※ Cu Pillar Mask Layout及代购
    ※ PI Mask Layout及代购 
    ※ Pillar生产制造
    ※ PI+ Cu Pillar生产制造 
    ※ PI+RDL+Cu Pillar生产制造
    ※ PI+RDL+PI+Cu Pillar生产制造
    ※ 产品失效分析
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